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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Gain | |
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2,408
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NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET TO-272N | SMD/SMT | TO-272-6 Wrap EP | + 150 C | Reel | 35 W | Si | N-Channel | 40 V | 6 A | 700 mOhms | 13.5 dB | |||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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MACOM | RF MOSFET Transistors 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB | SMD/SMT | Case 319-07 | + 150 C | Tray | 20 W | Si | N-Channel | 65 V | 4 A | 13.5 dB | ||||
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siehe | Toshiba | RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS | SMD/SMT | PW-X-4 | Reel | 2.2 W | Si | N-Channel | 10 V | 3 A | 13.5 dB |
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