- Maximum Operating Temperature :
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4 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | |
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Ein Angebot |
11
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | + 175 C | 900 W | Si | N-Channel | 500 V | 10 A | 15 dB | ||||||
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Ein Angebot |
16
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | Reel | 100 W | Si | N-Channel | 500 V | 9 A | 15 dB | |||
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Ein Angebot |
6
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | + 175 C | 900 W | Si | N-Channel | 500 V | 10 A | 15 dB | ||||||
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Ein Angebot |
25
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) | Through Hole | TO-247-3 | + 150 C | 100 W | Si | N-Channel | 500 V | 9 A | 15 dB |
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