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Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Mounting Style Package / Case Maximum Operating Temperature Packaging Output Power Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Gain
BLF178P,112
60+
$78.3680
siehe
RFQ
NXP Semiconductors RF MOSFET Transistors PWR LDMOS TRANSISTOR 1200W LD... SMD/SMT SOT-539A-5 + 150 C Tube 1.2 kW Si N-Channel 110 V 88 A 70 mOhms 28.5 dB