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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | |
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MACOM | RF JFET Transistors DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT | Screw | TO-272 | + 85 C | Tray | 45 W | GaN Si | N-Channel | 160 V | 14 mA | 3 V | 14.2 dB | HEMT |
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