- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Packaging :
- Pd - Power Dissipation :
- Id - Continuous Drain Current :
- Ausgewählter Filter :
9 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
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Ein Angebot |
23
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | SMD/SMT | NI-360 | + 85 C | Tray | 162 W | 127 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 4 A | 145 V | 17.5 dB | HEMT | ||||
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Ein Angebot |
25
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | SMD/SMT | NI-360 | + 85 C | Tray | 70 W | 64 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 2.5 A | 145 V | 20 dB | HEMT | ||||
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Ein Angebot |
3
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN | SMD/SMT | RF-565 | + 85 C | Tray | 540 W | 370 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 15 A | 145 V | 19.9 dB | HEMT | ||||
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Ein Angebot |
28
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN | Screw | NI-360 | + 85 C | Tray | 70 W | 64 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 2.5 A | 145 V | 20 dB | HEMT | ||||
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Ein Angebot |
25
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN | Screw | NI-360 | + 85 C | Tray | 162 W | 127 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 4 A | 145 V | 17.5 dB | HEMT | ||||
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Ein Angebot |
35
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN | SMD/SMT | QFN-16 | + 85 C | Tray | 17 W | 17.5 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 700 mA | 145 V | 24 dB | HEMT | ||||
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Ein Angebot |
51
Verfügbar auf Lager
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN | SMD/SMT | QFN-16 | + 85 C | Waffle | 11 W | 13.5 W | GaN SiC | N-Channel | 50 V | 400 mA | 145 V | 24.7 dB | HEMT | ||||
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siehe | Qorvo | RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | SMD/SMT | + 275 C | Tray | 260 W | 288 W | GaN SiC | N-Channel | 36 V | 24 A | 145 V | 20.8 dB | HEMT | 48 V | |||||
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siehe | Qorvo | RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN | SMD/SMT | + 250 C | Tray | 260 W | 288 W | GaN SiC | N-Channel | 36 V | 24 A | 145 V | 18 dB | HEMT | 48 V |
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