RF JFET Transistors - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Mounting Style	Maximum Operating Temperature	Packaging	Output Power	Technology	Transistor Polarity	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Id - Continuous Drain Current	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	Gain	Transistor Type
	NPT2022	1+ $65.8640 10+ $63.4240	Ein Angebot	PDF RFQ	4 Verfügbar auf Lager	MACOM	RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT	Screw	+ 85 C	Tray	100 W	GaN Si	N-Channel	160 V	24 mA	3 V	21 dB	HEMT

NPT2022

MACOM

RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT

Stock : 4

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