- Mounting Style :
- Package / Case :
- Transistor Polarity :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
7,239
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET Single NChannel 100V 204A 117W 29.3mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 51 A | 16.3 mOhms | 3 V | 54 nC | |||||
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Ein Angebot |
435
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 120 A | 3.8 mOhms | 4 V | 54 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 150 A | 2.5 mOhms | 1.35 V | 54 nC | Enhancement | StrongIRFET | |||
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Ein Angebot |
555
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 150 A | 2.5 mOhms | 1.35 V | 54 nC | Enhancement | StrongIRFET | |||
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Ein Angebot |
980
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -70A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 70 A | 9.1 mOhms | 54 nC | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 54nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 64 A | 14 mOhms | 2 V to 4 V | 54 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
409
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 75 A | 3.3 mOhms | 3 V | 54 nC | |||||
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Ein Angebot |
63
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 63 A | 11.1 mOhms | 2 V to 4 V | 54 nC | Enhancement | StrongIRFET |
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