- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
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- Rds On - Drain-Source Resistance :
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18 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
5,816
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 5 A | 600 mOhms | 15 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
8,413
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 40 A | 7.5 mOhms | 15 nC | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
2,625
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 5 A | 600 mOhms | 15 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,311
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V 15A DPAK N-Chnl PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 15 A | 14 mOhms | 2 V | 15 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
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Ein Angebot |
3,423
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | Si | P-Channel | - 60 V | - 12 A | 155 mOhms | 15 nC | ||||||
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Ein Angebot |
5,820
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 22 A | 39 mOhms | 15 nC | |||||
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Ein Angebot |
4,177
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 86 A | 8 mOhms | 1.35 V to 2.35 V | 15 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 5 A | 600 mOhms | 15 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,692
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 2.8 A | 0.13 Ohms | - 2.5 V | 15 nC | Enhancement | TrenchFET | ||
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Ein Angebot |
1,524
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 600mOhms 15nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 5 A | 600 mOhms | 15 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
918
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 24A 400mOhm 10nC LogLvAB | 16 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 24 A | 60 mOhms | 1 V | 15 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,730
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC | 20 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 5 A | 600 mOhms | 15 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,055
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 15 A | 0.036 Ohms | 1.5 V | 15 nC | Enhancement | TrenchFET | ||
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Ein Angebot |
892
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.8 A | 230 mOhms | - 4 V | 15 nC | Enhancement | SIPMOS | ||
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Ein Angebot |
1,066
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 18 A | 105 mOhms | 2 V | 15 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,720
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 86 A | 5.8 mOhms | 2.35 V | 15 nC | ||||||
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Ein Angebot |
369
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.8 A | 230 mOhms | - 4 V | 15 nC | Enhancement | |||
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siehe | Nexperia | MOSFET N-channel 40 V 12 mo FET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 52 A | 9.3 mOhms | 3 V | 15 nC | Enhancement |
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