- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Minimum Operating Temperature :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
-
- 100 mOhms (2)
- 101 mOhms (2)
- 117 mOhms (1)
- 130 mOhms (1)
- 15 mOhms (1)
- 154 mOhms (1)
- 160 mOhms (2)
- 175 mOhms (1)
- 200 mOhms (2)
- 21 mOhms (4)
- 230 mOhms (5)
- 3.5 mOhms (2)
- 3.6 mOhms (2)
- 3.7 mOhms (2)
- 5.3 mOhms (2)
- 580 mOhms (1)
- 60 mOhms (2)
- 644 mOhms (2)
- 65 mOhms (4)
- 69 mOhms (2)
- 70 mOhms (1)
- 9.2 mOhms (2)
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
44 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
4,413
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 31 A | 65 mOhms | - 4 V | 42 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
3,813
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 30 A | 69 mOhms | - 4 V | 48 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
4,876
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 90 A | 3.5 mOhms | - 4 V | 154 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
1,439
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 80 A | 21 mOhms | - 4 V | 173 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
1,856
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 80A D2PAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 80 A | 21 mOhms | - 4 V | 173 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
2,199
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 90 A | 3.6 mOhms | - 4 V | 130 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
8,984
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 50 A | 9.2 mOhms | - 4 V | 51 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
3,942
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 18.6 A | 100 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
2,665
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 90 A | 3.5 mOhms | - 4 V | 154 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
2,874
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 15 A | 160 mOhms | - 4 V | 48 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
2,470
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -100V 15A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 15 A | 160 mOhms | - 4 V | 48 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 90 A | 3.6 mOhms | - 4 V | 130 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
2,258
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 14 A | 200 mOhms | - 4 V | 38.7 nC | |||||
|
Ein Angebot |
2,291
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 31 A | 60 mOhms | - 4 V | 42 nC | |||||
|
Ein Angebot |
2,511
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 13 A | 580 mOhms | - 4 V | 66 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
2,100
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.83 A | 230 mOhms | - 4 V | - 13 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
1,985
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET PFET SOT223 60V 2.6A 140M | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 2.6 A | 154 mOhms | - 4 V | 14.3 nC | |||||
|
Ein Angebot |
5,905
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 10 A | 130 mOhms | - 4 V | 6.4 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
652
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 80A D2PAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 80 A | 21 mOhms | - 4 V | 173 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
2,219
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 30 A | 69 mOhms | - 4 V | 48 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
1,686
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -80A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 80 A | 3.7 mOhms | - 4 V | 151 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
4,039
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 4 A | 644 mOhms | - 4 V | 12 nC | Enhancement | SIPMOS | |||
|
Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 18.6 A | 100 mOhms | - 4 V | 33 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
846
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 80 A | 21 mOhms | - 4 V | 173 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
789
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 12 A | 175 mOhms | - 4 V | 12.7 nC | |||||
|
Ein Angebot |
1,330
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -50A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 50 A | 9.2 mOhms | - 4 V | 51 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
405
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 40 A | 60 mOhms | - 4 V | 180 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
3,400
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC | 20 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 55 V | - 31 A | 65 mOhms | - 4 V | 42 nC | |||||
|
Ein Angebot |
771
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2 | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 85 A | 5.3 mOhms | - 4 V | 89 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
892
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 8.8 A | 230 mOhms | - 4 V | 15 nC | Enhancement | SIPMOS |
1 / 2 Seite