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Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
Qg - Gate Charge :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Qg - Gate Charge Channel Mode Tradename
IPD30N08S2L-21
1+
$0.4720
10+
$0.4040
100+
$0.3080
500+
$0.2720
2500+
$0.1904
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 20 V SMD/SMT TO-252-3 - 55 C + 175 C Reel 1 Channel Si N-Channel 75 V 30 A 15.9 mOhms 1.2 V 72 nC Enhancement OptiMOS
IPD30N08S2L21ATMA1
1+
$0.4720
10+
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100+
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS 20 V SMD/SMT TO-252-3 - 55 C + 175 C Reel 1 Channel Si N-Channel 75 V 30 A 15.9 mOhms 1.2 V 72 nC Enhancement  
IPD30N06S2L23ATMA3
1+
$0.3360
10+
$0.2844
100+
$0.2184
500+
$0.1932
2500+
$0.1352
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_55/60V 20 V SMD/SMT TO-252-3 - 55 C + 175 C Reel 1 Channel Si N-Channel 55 V 30 A 15.9 mOhms 1.6 V 33 nC Enhancement