- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
6 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
990
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 800 uOhms | 2 V | 286 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 800 uOhms | 2 V | 286 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
27
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 800 uOhms | 1.2 V | 346 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 180 A | 800 uOhms | 2.1 V | 243 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
1,967
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 180 A | 800 uOhms | 2.1 V | 243 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Ein Angebot |
218
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 800 uOhms | 1.2 V | 346 nC | Enhancement | OptiMOS |
1 / 1 Seite
