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33 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,480
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 40 V, 3.8 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power M... | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 2.5 mOhms | 3 V | 130 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
685
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 120 A | 2.5 mOhms | - 2.5 V | 800 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,809
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 120 A | 2.5 mOhms | Enhancement | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
1,943
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0021 mOhm typ., 32 A STripFET(TM) VI... | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 145 A | 2.5 mOhms | 2 V | 40 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
737
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 260 A | 2.5 mOhms | 160 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | H2PAK-2 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 2.5 mOhms | 2.5 V | 160 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,090
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 120 A | 2.5 mOhms | 2.2 V | 133 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
748
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 80 A | 2.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
1,400
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 2.5 mOhms | 1.2 V | 79 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,486
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 90 A | 2.5 mOhms | 1 V | 75 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 150 A | 2.5 mOhms | 1.35 V | 54 nC | Enhancement | StrongIRFET | |||
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Ein Angebot |
100
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 265 A | 2.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
555
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET TRENCH_MOSFETS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 150 A | 2.5 mOhms | 1.35 V | 54 nC | Enhancement | StrongIRFET | |||
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Ein Angebot |
411
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 120A | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 120 A | 2.5 mOhms | 2.2 V to 3.9 V | 107 nC | Enhancement | CoolIRFet | |||
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Ein Angebot |
779
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.5 mOhms | 2 V | 68.6 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
219
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 40V, 120A, 2.5 mOhm 90 nC Qg, TO-262 | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 208 A | 2.5 mOhms | 3.9 V | 135 nC | Enhancement | StrongIRFET | ||||
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Ein Angebot |
127
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 2.5 mOhms | 1.2 V | 79 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
350
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 200 A | 2.5 mOhms | 2.5 V | 118 nC | NexFET | ||||
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Ein Angebot |
31
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 128 A | 2.5 mOhms | 1.4 V | 63.4 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
50
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 82 A | 2.5 mOhms | 1.4 V | 63.4 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,982
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 180 A | 2.5 mOhms | 2 V to 4 V | 193 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI | 20 V | SMD/SMT | H2PAK-2 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 2.5 mOhms | 3.8 V | 180 nC | STripFET | ||||
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Ein Angebot |
19,500
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET BUK7Y3R5-40E/LFPAK/REEL 7" Q1/ | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 100 A | 2.5 mOhms | 2.4 V | 49.4 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
998
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 180 A | 2.5 mOhms | 2.5 V | 160 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,903
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 90 A | 2.5 mOhms | 1 V | 75 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.5 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
2,399
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 40V 120A 2.5mOhm 90nC StrongIRFET | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 208 A | 2.5 mOhms | 3.9 V | 135 nC | Enhancement | StrongIRFET | ||||
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siehe | IXYS | MOSFET 300 Amps 40V | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 300 A | 2.5 mOhms | |||||||||
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Ein Angebot |
595
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 75V 260A 2.6 mOhm Automotive MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 260 A | 2.5 mOhms | 160 nC | ||||||||
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siehe | Nexperia | MOSFET N-CHAN 30V 100A | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.5 mOhms |
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