MOSFET - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Vgs - Gate-Source Voltage	Mounting Style	Package / Case	Minimum Operating Temperature	Maximum Operating Temperature	Packaging	Number of Channels	Technology	Transistor Polarity	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Id - Continuous Drain Current	Rds On - Drain-Source Resistance	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	Qg - Gate Charge	Channel Mode	Tradename
	IPT059N15N3	1+ $2.4560 10+ $2.2200 25+ $2.1160 100+ $1.8360 2000+ $1.3440	Ein Angebot	PDF RFQ	2,808 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET MV POWER MOS	+/- 20 V	SMD/SMT	HSOF-8	- 55 C	+ 175 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	150 V	155 A	5 mOhms	2 V	92 nC	Enhancement	OptiMOS
	IPT059N15N3ATMA1	1+ $2.4560 10+ $2.2200 25+ $2.1160 100+ $1.8360 2000+ $1.3440	Ein Angebot	PDF RFQ	452 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET MV POWER MOS	+/- 20 V	SMD/SMT	HSOF-8	- 55 C	+ 175 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	150 V	155 A	5 mOhms	2 V	92 nC	Enhancement	OptiMOS
	BUK7905-40AIE,127	5000+ $0.3884 10000+ $0.3736	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Nexperia	MOSFET TRENCHPLUS MOSFET	20 V	Through Hole	TO-220-5	- 55 C	+ 175 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	40 V	155 A	5 mOhms			Enhancement
	BUK7C06-40AITE,118	4800+ $0.5440	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Nexperia	MOSFET TRENCHPLUS MOSFET	20 V	SMD/SMT	TO-263-7	- 55 C	+ 175 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	40 V	155 A	6 mOhms			Enhancement
	BUK7905-40AI,127	5000+ $0.5360	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Nexperia	MOSFET TRENCHPLUS MOSFET	20 V	Through Hole	TO-220-5	- 55 C	+ 175 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	40 V	155 A	5 mOhms			Enhancement
	BUK7905-40ATE,127	5000+ $0.5360	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Nexperia	MOSFET TRENCHPLUS MOSFET	20 V	Through Hole	TO-220-5	- 55 C	+ 175 C	Tube	1 Channel	Si	N-Channel	40 V	155 A	5 mOhms			Enhancement

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