- Package / Case :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
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5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
4,966
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 116 A | 5.1 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
4,713
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-ME | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 116 A | 3.5 mOhms | 3.7 V | 120 nC | StrongIRFET | |||
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Ein Angebot |
205
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET 40V 116A PB | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 116 A | 5.8 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,300
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 116 A | 3.4 mOhms | 2.2 V | 30 nC | ||||
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Ein Angebot |
159
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 116 A | 10 mOhms | 40 nC | Enhancement |
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