- Mounting Style :
- Package / Case :
- Minimum Operating Temperature :
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12 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,364
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 46 A | 12 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,287
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 46 A | 24 mOhms | 33.3 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
310
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 40 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 46 A | 46 mOhms | 72 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
713
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 46 A | 5.6 mOhms | 2 V | 30 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
985
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 46 A | 16 mOhms | 2 V | 29 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,197
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | 15 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 46 A | 27 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
4,770
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 10 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 46 A | 21.7 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
2,995
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 46 A | 10.2 mOhms | 1.5 V | 35 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 46 A | 11.2 mOhms | 2.5 V | 35 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 46 A | 18 mOhms | 24 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
650
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | 15 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 46 A | 27 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
493
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 46 A | 24 mOhms | 33.3 nC | Enhancement |
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