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5 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 23 A | 0.0272 Ohms | 1.5 V | 30 nC | Enhancement | ||
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3,000
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 75 A | 0.0037 Ohms | 1.5 V | 85 nC | Enhancement | ||
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3,000
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 60 A | 0.0063 Ohms | 2.5 V | 55 nC | Enhancement | ||
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3,000
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 57 A | 0.0078 Ohms | 2.5 V | 45 nC | Enhancement | ||
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3,000
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Vishay / Siliconix | MOSFET Dual N-Channel 40V PowerPAK | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 40 V, 40 V | 30 A, 30 A | 0.0079 Ohms, 0.0079 Ohms | 2.5 V, 2.5 V | 30 nC, 30 nC | Enhancement |
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