- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Id - Continuous Drain Current :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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14 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,033
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IXYS | MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs | 20 V | Through Hole | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 16 A | 73 mOhms | 208 nC | Depletion | |||||
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Ein Angebot |
798
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 47A, 600V SuperFET | 30 V | Through Hole | TO-3PN-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 47 A | 73 mOhms | Enhancement | SuperFET FRFET | |||||
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Ein Angebot |
6,421
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 3.6 A | 73 mOhms | 15 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,903
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 3.6 A | 73 mOhms | 4 V | 15 nC | |||||
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Ein Angebot |
3,465
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 3.3 A | 73 mOhms | 8.6 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
49
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 30.8 A | 73 mOhms | 2.7 V to 3.7 V | 86 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
48
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V) | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 7.7 A | 73 mOhms | 3.5 V | 65 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 30.8 A | 73 mOhms | 2.7 V to 3.7 V | 86 nC | DTMOSIV | ||||
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Ein Angebot |
24
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 30.8 A | 73 mOhms | 3.5 V | 65 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
26
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 30.8 A | 73 mOhms | 2.7 V to 3.7 V | 86 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-23 package | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 2.7 A | 73 mOhms | - 3 V | 6.2 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
56,740
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SSOT-3 N-CH 60V | 20 V | SMD/SMT | SSOT-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 1.7 A | 73 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
59
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 300 V | 52 A | 73 mOhms | 5 V | 110 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | |||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC | 30 V | Through Hole | TO-3PN-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 30.8 A | 73 mOhms | 2.7 V to 3.7 V | 86 nC | Enhancement |
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