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Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Qg - Gate Charge Channel Mode Tradename
IXTT16N20D2
1+
$3.9600
10+
$3.5800
25+
$3.4120
100+
$2.9640
Ein Angebot
RFQ
2,033
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IXYS MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs 20 V Through Hole TO-268-3 - 55 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 200 V 16 A 73 mOhms   208 nC Depletion  
FCA47N60F
1+
$4.7000
10+
$4.2480
25+
$4.0480
50+
$3.7720
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RFQ
798
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Fairchild Semiconductor MOSFET 47A, 600V SuperFET 30 V Through Hole TO-3PN-3 - 55 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 600 V 47 A 73 mOhms     Enhancement SuperFET FRFET
IRF7380PBF
1+
$0.3920
10+
$0.3360
100+
$0.2580
500+
$0.2280
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RFQ
6,421
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Infineon / IR MOSFET 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V 20 V SMD/SMT SO-8 - 55 C + 150 C Tube 2 Channel Si N-Channel 80 V 3.6 A 73 mOhms   15 nC Enhancement  
IRF7380TRPBF
1+
$0.3920
10+
$0.3360
100+
$0.2580
500+
$0.2280
4000+
$0.1596
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RFQ
1,903
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Infineon / IR MOSFET MOSFT DUAL NCh 80V 3.6A 20 V SMD/SMT SO-8 - 55 C + 150 C Reel 2 Channel Si N-Channel 80 V 3.6 A 73 mOhms 4 V 15 nC    
DMN3110S-7
1+
$0.2280
10+
$0.1880
100+
$0.1148
1000+
$0.0888
3000+
$0.0756
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RFQ
3,465
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Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K 20 V SMD/SMT SOT-23-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 30 V 3.3 A 73 mOhms   8.6 nC Enhancement  
TK31E60W,S1VX
1+
$2.9880
10+
$2.6880
50+
$2.4520
100+
$2.2120
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RFQ
49
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Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC 30 V Through Hole TO-220-3 - 55 C + 150 C   1 Channel Si N-Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 2.7 V to 3.7 V 86 nC Enhancement  
TK31E60X,S1X
1+
$2.0760
10+
$1.6680
50+
$1.6360
100+
$1.5200
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RFQ
48
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Toshiba MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 88m (VGS=10V) 30 V Through Hole TO-220-3 - 55 C + 150 C   1 Channel Si N-Channel 600 V 7.7 A 73 mOhms 3.5 V 65 nC Enhancement  
TK31N60W,S1VF
1+
$3.3800
10+
$3.0400
25+
$2.7680
50+
$2.5800
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RFQ
60
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Toshiba MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF 30 V Through Hole TO-247-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 2.7 V to 3.7 V 86 nC   DTMOSIV
TK31N60X,S1F
1+
$2.1800
10+
$1.7520
25+
$1.7200
100+
$1.5960
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RFQ
24
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Toshiba MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 88mOhmmax(VGS=10V) 30 V Through Hole TO-247-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 3.5 V 65 nC Enhancement  
TK31A60W,S4VX
1+
$2.9880
10+
$2.6880
50+
$2.4520
100+
$2.2120
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RFQ
26
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Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 45W FET 600V 3000pF 86nC 30 V Through Hole TO-220FP-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 2.7 V to 3.7 V 86 nC Enhancement  
SI2307-TP
1+
$0.1920
10+
$0.1096
100+
$0.0468
1000+
$0.0304
3000+
$0.0272
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RFQ
2,500
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Micro Commercial Components (MCC) MOSFET P-Channel MOSFET, SOT-23 package +/- 20 V SMD/SMT SOT-23-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si P-Channel - 30 V - 2.7 A 73 mOhms - 3 V 6.2 nC Enhancement  
FDN5630
1+
$0.1920
10+
$0.1456
100+
$0.0792
1000+
$0.0592
3000+
$0.0512
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RFQ
56,740
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Fairchild Semiconductor MOSFET SSOT-3 N-CH 60V 20 V SMD/SMT SSOT-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 60 V 1.7 A 73 mOhms     Enhancement PowerTrench
IXFH52N30P
1+
$2.2240
10+
$1.8920
100+
$1.6400
250+
$1.5560
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RFQ
59
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IXYS MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds 20 V Through Hole TO-247-3 - 55 C + 150 C Tube 1 Channel Si N-Channel 300 V 52 A 73 mOhms 5 V 110 nC Enhancement Polar, HiPerFET
TK31J60W5,S1VQ
1+
$3.5080
10+
$3.1560
25+
$2.8760
50+
$2.6800
siehe
RFQ
Toshiba MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC 30 V Through Hole TO-3PN-3 - 55 C + 150 C Reel 1 Channel Si N-Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms 2.7 V to 3.7 V 86 nC Enhancement