MOSFET - Inix Electronic

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Bild	Modell	Preis	Anzahl		Lager	Hersteller	Beschreibung	Vgs - Gate-Source Voltage	Mounting Style	Package / Case	Minimum Operating Temperature	Maximum Operating Temperature	Packaging	Number of Channels	Technology	Transistor Polarity	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Id - Continuous Drain Current	Rds On - Drain-Source Resistance	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	Qg - Gate Charge	Channel Mode	Tradename
	BSZ16DN25NS3 G	1+ $0.6120 10+ $0.5200 100+ $0.4160 500+ $0.3632 5000+ $0.2700	Ein Angebot	PDF RFQ	5,310 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3	20 V	SMD/SMT	TSDSON-8	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	250 V	10.9 A	146 mOhms	2 V	11.4 nC	Enhancement	OptiMOS
	BSC16DN25NS3 G	1+ $0.6160 10+ $0.5240 100+ $0.4200 500+ $0.3648 5000+ $0.2712	Ein Angebot	PDF RFQ	4,887 Verfügbar auf Lager	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3	20 V	SMD/SMT	TDSON-8	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	250 V	10.9 A	146 mOhms
	BSZ16DN25NS3GATMA1	5000+ $0.2700 10000+ $0.2596	Ein Angebot siehe	PDF RFQ		Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3	20 V	SMD/SMT	TSDSON-8	- 55 C	+ 150 C	Reel	1 Channel	Si	N-Channel	250 V	10.9 A	146 mOhms	2 V	11.4 nC	Enhancement	OptiMOS

BSZ16DN25NS3 G

BSZ16DN25NS3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

Stock : 5,310

1+: $0.6120

10+: $0.5200

100+: $0.4160

500+: $0.3632

5000+: $0.2700

BSC16DN25NS3 G

BSC16DN25NS3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

Stock : 4,887

1+: $0.6160

10+: $0.5240

100+: $0.4200

500+: $0.3648

5000+: $0.2712

BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

Stock : 0

5000+: $0.2700

10000+: $0.2596

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