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24 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,021
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 120 A | 4.6 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
5,305
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel 60 V 6.0 mo FET | 15 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 4.6 mOhms | 1.7 V | 39.4 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,216
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 80 A | 4.6 mOhms | 2 V | 69 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,826
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 20V 80A TDSON-8 OptiMOS 2 | 12 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 19 A | 4.6 mOhms | Enhancement | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
4,112
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 120 A | 4.6 mOhms | 1.8 V | 41 nC | ||||
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Ein Angebot |
795
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 75 A | 4.6 mOhms | 1.5 V | 100 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,551
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 50 A | 4.6 mOhms | 1 V | 31 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
582
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 120 A | 4.6 mOhms | 2 V to 4 V | 79 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,828
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A | 20 V | SMD/SMT | PowerDI3333-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 17.6 A | 4.6 mOhms | 2.3 V | 41 nC | Enhancement | PowerDI | ||
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Ein Angebot |
495
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 60 A | 4.6 mOhms | 2 V | 82 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,371
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 52 A | 4.6 mOhms | 1.3 V | 22.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,500
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 52 A | 4.6 mOhms | 1.3 V | 22.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
8,393
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFETs | 10 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 4.6 mOhms | 1.1 V | 6.8 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
2,057
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V,NCh NexFET Power MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 4.6 mOhms | 1.3 V | 10 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
2,375
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | 20 V | SMD/SMT | HSOP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 20 A | 4.6 mOhms | 2.5 V | 16.8 nC | ||||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 24 A | 4.6 mOhms | 4 V | 110 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 120 A | 4.6 mOhms | Enhancement | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 50 A | 4.6 mOhms | 1 V | 31 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 60A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 60 A | 4.6 mOhms | 2 V | 82 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
970
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 80 A | 4.6 mOhms | 2 V | 69 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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siehe | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 10 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 75 A | 4.6 mOhms | Enhancement | ||||||
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siehe | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | 10 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 75 A | 4.6 mOhms | Enhancement | ||||||
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siehe | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A | 20 V | SMD/SMT | PowerDI3333-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 17.6 A | 4.6 mOhms | 2.3 V | 41 nC | Enhancement | PowerDI | |||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 4.6 mOhms | 1.2 V | 220 nC | Enhancement |
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