- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Id - Continuous Drain Current :
-
- - 170 A (1)
- - 40 A (1)
- - 7 A (1)
- - 9 A (2)
- 10 A (1)
- 10.8 A (1)
- 100 A (2)
- 11 A (1)
- 11.5 A (1)
- 124 A (1)
- 150 A (2)
- 158 A (1)
- 36 A (1)
- 37 A (1)
- 44 A (2)
- 46 A (1)
- 50 A (1)
- 52 A (1)
- 57 A (4)
- 60 A (1)
- 61 A (1)
- 63 A (1)
- 70 A (4)
- 72 A (1)
- 74 A (1)
- 75 A (1)
- 76 A (1)
- 83 A (1)
- 84 A (1)
- 85 A (1)
- 86 A (3)
- 89 A (2)
- 9 A (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
46 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
3,068
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 89 A | 12 mOhms | 3 V | 44 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
7,603
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 63 A | 12 mOhms | 2.5 V | 34 nC | ||||
|
|
Ein Angebot |
2,460
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 52 A | 12 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
|
|
Ein Angebot |
4,887
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 124 A | 12 mOhms | 2 V | 42 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
|
|
Ein Angebot |
420
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds | 20 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 170 A | 12 mOhms | ||||||
|
|
|
Ein Angebot |
4,074
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 83A 12mOhm 86.6nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 84 A | 12 mOhms | 4 V | 130 nC | ||||
|
|
Ein Angebot |
2,275
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET SO-8 | - 20 V, + 30 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 10.8 A | 12 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
1,364
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 46 A | 12 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
|
|
Ein Angebot |
1,407
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 75 A | 12 mOhms | Enhancement | UltraFET | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
1,287
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 57 A | 12 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
884
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET N Chan 100V 12Mohm | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 74 A | 12 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
|
|
Ein Angebot |
211
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | MOSFET 175V 150A | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 175 V | 150 A | 12 mOhms | 2.5 V to 4.5 V | 63 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
2,000
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 10 mOhm typ., 11 A STripFET F7 Power MO... | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 11 A | 12 mOhms | 2 V | 17 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
2,431
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 70 A | 12 mOhms | 1 V | 41.3 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
897
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 72 A | 12 mOhms | 4 V | 73.3 nC | ||||
|
|
Ein Angebot |
106
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC Qg | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 85 A | 12 mOhms | 5 V | 110 nC | ||||
|
|
Ein Angebot |
2,214
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 34 V | 36 A | 12 mOhms | 6.1 nC | OptiMOS | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
698
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 70 A | 12 mOhms | 60 nC | OptiMOS | ||||
|
|
Ein Angebot |
4,430
Verfügbar auf Lager
|
Nexperia | MOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 100 A | 12 mOhms | 4.6 V | 125 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
1,341
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-3.3x3.3-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 9 A | 12 mOhms | - 1 V | 24 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
2,402
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | 20 V | SMD/SMT | POWERDI5060-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 37 A | 12 mOhms | 1 V | 17 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
578
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 57 A | 12 mOhms | 4 V | 43 nC | ||||
|
|
Ein Angebot |
540
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms | 16 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 86 A | 12 mOhms | 40 nC | Enhancement | |||||
|
|
Ein Angebot |
406
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 40 N-Ch Enh FET 31V to 99V 1810pF | 20 V | SMD/SMT | PowerDI3333-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 11.5 A | 12 mOhms | 1 V to 3 V | 17 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
85
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 70 A | 12 mOhms | Enhancement | |||||
|
|
Ein Angebot |
7,434
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET MID PWR MOSFET SER | +/- 20 V | SMD/SMT | TSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 7 A | 12 mOhms | - 2.5 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
3,374
Verfügbar auf Lager
|
Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | 16 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 60 A | 12 mOhms | 1.9 V | 3.9 nC | Enhancement | NexFET | ||
|
|
Ein Angebot |
1,422
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET Nch+Nch 30V 9A MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 9 A | 12 mOhms | 15 nC | Enhancement | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
5,000
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A | 25 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 12 mOhms | 800 mV | 8.7 nC | Enhancement | |||
|
|
siehe | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 185 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 83 A | 12 mOhms | Enhancement |
1 / 2 Seite
