- Hersteller :
- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Package / Case :
-
- DFN1411-3 (1)
- DFN2020-6 (1)
- MSOP-8 (1)
- PLUS-264-3 (1)
- SO-8 (3)
- SOT-223-3 (3)
- SOT-23-3 (5)
- SOT-26-6 (2)
- SOT-323-3 (1)
- SOT-363-6 (1)
- SOT-563-6 (1)
- SOT-89-3 (1)
- SSOT-6 (1)
- TO-220-3 (10)
- TO-220FP-3 (4)
- TO-247-3 (9)
- TO-252-3 (8)
- TO-262-3 (2)
- TO-263-3 (7)
- TO-264-3 (3)
- TO-268-3 (2)
- TO-3PF-3 (2)
- TO-3PN-3 (1)
- VSON-Clip-8 (1)
- X1-DFN1006-3 (1)
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
-
- - 1.5 A (2)
- - 104 A (1)
- - 2 A (1)
- - 2.2 A (1)
- - 24 A (2)
- - 27 A (1)
- - 3.5 A (2)
- - 4 A (1)
- - 8 A (1)
- - 860 mA (1)
- 1.41 A (1)
- 11 A (2)
- 11.8 A (1)
- 12 A (1)
- 17 A (4)
- 18 A (5)
- 19.4 A (2)
- 2 A (2)
- 2.4 A (1)
- 2.5 A (1)
- 20 A (4)
- 21 A (4)
- 22 A (2)
- 24 A (12)
- 25 A (1)
- 3.5 A (4)
- 32 A (3)
- 35 A (1)
- 4 A (1)
- 4.7 A (1)
- 40 A (1)
- 45 A (1)
- 5.5 A (2)
- 50 A (1)
- 8.7 A (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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72 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
512
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 24 A | 150 mOhms | 3 V | 43 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,115
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 12 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
2,458
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 27 A | 150 mOhms | 21 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 600V NCH FRFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20 A | 150 mOhms | Enhancement | SuperFET | |||||
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Ein Angebot |
975
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 21 A | 150 mOhms | 2.5 V | 52 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
5,945
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 3.5A | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 3.5 A | 150 mOhms | 3 V | 15 nC | |||||
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Ein Angebot |
776
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 25 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 22 A | 150 mOhms | 3 V | 36 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
4,809
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 8.7 A | 150 mOhms | 4 V | 6.9 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,445
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 20V P-Ch PowerTrench Integrated | 12 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 2.2 A | 150 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,012
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 18 A | 150 mOhms | 44.7 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,823
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 19.4 A | 150 mOhms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
471
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET2 650V, 190 mOhm, FRFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 24 A | 150 mOhms | 5 V | 72 nC | SuperFET II FRFET | ||||
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Ein Angebot |
4,773
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 30V N Chnl UMOS | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 2 A | 150 mOhms | 0.7 V | 2.93 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,023
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 2.5 A | 150 mOhms | 1 V | 5.8 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,060
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 18 A | 150 mOhms | 44.7 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
784
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 24A 0.15 Ohm 25nC Qg 18A ID | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 18 A | 150 mOhms | 44.7 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
333
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel QFET | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 11.8 A | 150 mOhms | Enhancement | QFET | |||||
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Ein Angebot |
770
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 19.4 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
101
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET2 650V, 150 mOhm, FRFET | 20 V, 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 24 A | 150 mOhms | 5 V | 72 nC | SuperFET II FRFET | ||||
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Ein Angebot |
1,619
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Chnl UMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 3.5 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
3,674
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-CH. MOSFET BVDSS: 25V-30V, AEC-Q101 | +/- 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 3.5 A | 150 mOhms | - 1.3 V | 12 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,340
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel | 12 V | SMD/SMT | DFN1411-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.5 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
10,972
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH MOSFET 12V | 6 V | SMD/SMT | X1-DFN1006-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 12 V | 1.41 A | 150 mOhms | 350 mV | 1.5 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,588
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET P-Channel .25W | 12 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.5 A | 150 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
86
Verfügbar auf Lager
|
IXYS | MOSFET -24 Amps -200V 0.15 Rds | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 200 V | - 24 A | 150 mOhms | - 5 V | 150 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
826
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 150mOhms 44.7nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 18 A | 150 mOhms | 2 V to 4 V | 44.7 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 500V 44A | 30 V | SMD/SMT | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 24 A | 150 mOhms | Enhancement | HyperFET | |||||
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Ein Angebot |
764
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 100mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 17 A | 150 mOhms | 1 V to 2 V | 22.7 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,268
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET -20V -860mA | 12 V | SMD/SMT | SOT-563-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 860 mA | 150 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,202
Verfügbar auf Lager
|
Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Chnl HDMOS | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 4.7 A | 150 mOhms | Enhancement |
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