- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
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19 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
18,315
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 61 A | 7.1 mOhms | 1.58 V | 16 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,816
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 61 A | 13.9 mOhms | 4 V | 58 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,293
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | 12 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 61 A | 15 mOhms | 2 V | 24 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
696
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos. | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 61 A | 16 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
1,018
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 61 A | 41 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
224
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 61A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 61 A | 19 mOhms | 2 V | 86 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
417
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 61A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 61 A | 19 mOhms | 2 V | 86 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
815
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 61 A | 11.3 mOhms | 3 V | 23 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
26
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 500V 64A | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 61 A | 85 mOhms | Enhancement | HyperFET | ||||
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Ein Angebot |
2,221
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET 60V 11.3mOhm logiclevel MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 61 A | 11.3 mOhms | 1.7 V | 37.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
231
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 61 A | 11 mOhms | 43 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
400
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1 | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 61 A | 5.84 mOhms | 1.2 V | 10.5 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
259
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 61 A | 14 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
167
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 61 A | 14 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | 12 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 61 A | 14 mOhms | 24 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 61 A | 11 mOhms | 43 nC | Enhancement | ||||||
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siehe | Infineon / IR | MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 61 A | 12 mOhms | 1 V to 3 V | 61 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
421
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 61nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 61 A | 17 mOhms | 1 V to 3 V | 61 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
209
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | 12 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 61 A | 14 mOhms | 0.6 V to 2 V | 24 nC | Enhancement |
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