- Qg - Gate Charge :
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3 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
6,298
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 470 mA | 2.4 Ohms | 1.3 V | 740 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
4,656
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 470 mA | 2.4 Ohms | 1.3 V | 740 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,567
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Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23 | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 470 mA | 2.4 Ohms | 1.3 V | 0.74 nC | Enhancement |
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