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Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
Id - Continuous Drain Current :
Rds On - Drain-Source Resistance :
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
Ausgewählter Filter :
3 Produkt
Bild Modell Preis Anzahl Lager Hersteller Beschreibung Vgs - Gate-Source Voltage Mounting Style Package / Case Minimum Operating Temperature Maximum Operating Temperature Packaging Number of Channels Technology Transistor Polarity Vds - Drain-Source Breakdown Voltage Id - Continuous Drain Current Rds On - Drain-Source Resistance Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage Channel Mode
DMN32D2LDF-7
1+
$0.2000
10+
$0.1272
100+
$0.0544
1000+
$0.0420
3000+
$0.0320
Ein Angebot
RFQ
5,656
Verfügbar auf Lager
Diodes Incorporated MOSFET 350mw 30V DUAL 10 V SMD/SMT SOT-353-5 - 55 C + 150 C Reel 2 Channel Si N-Channel 30 V 400 mA 1.2 Ohms   Enhancement
SSM5N16FUTE85LF
1+
$0.1760
10+
$0.1044
100+
$0.0492
1000+
$0.0380
3000+
$0.0312
Ein Angebot
RFQ
3,000
Verfügbar auf Lager
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1   SMD/SMT SOT-353-5     Reel 2 Channel Si N-Channel 20 V 100 mA 5.2 Ohms 1.1 V  
SSM5N15FU(TE85L,F)
1+
$0.2200
10+
$0.1240
100+
$0.0532
1000+
$0.0408
3000+
$0.0308
siehe
RFQ
Toshiba MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 30V 2-in-1   SMD/SMT SOT-353-5     Reel 2 Channel Si N-Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 1.5 V