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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | |
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Ein Angebot |
250
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 170 A | 3.3 mOhms | 120 nC |
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