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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Tradename | |
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Ein Angebot |
500
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 560V 11.6A I2PAK-3 | TO-262-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 11.6 A | 380 mOhms | CoolMOS |
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