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| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Tradename | |
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Ein Angebot |
416
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Infineon / IR | MOSFET MOSFET N CH 60V 195A D2PAK | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 295 A | 2 mOhms | 3.7 V | 411 nC | StrongIRFET |
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