- Vgs - Gate-Source Voltage :
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20 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
96,078
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.2 Ohms | 600 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
5,637
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 1.7 Ohms | - 3.5 V | 1.4 nC | Depletion | ||
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Ein Angebot |
4,608
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ON Semiconductor | MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm | 8 V | SMD/SMT | uDFN-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 1.5 A | 145 mOhms | 1.1 V | 1.4 nC | |||
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Ein Angebot |
18,459
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.2 Ohms | 600 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
3,440
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 1.7 Ohms | - 3.5 V | 1.4 nC | Depletion | ||
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Ein Angebot |
19,651
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.2 Ohms | 600 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
16,218
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.2 Ohms | 600 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
17,850
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 2.2 Ohms | 600 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
6,413
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Nexperia | MOSFET 30V P-Channel Trench MOSFET | +/- 8 V | SMD/SMT | DFN1006-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 1 A | 430 mOhms | - 950 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
8,747
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch | +/- 10 V | SMD/SMT | SOT-323FL-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 200 mA | 9.6 Ohms | - 300 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
7,975
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch | 20 V | SMD/SMT | SOT-563T-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 1.4 A | 170 mOhms | 1 V | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
80
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ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V Drive Pch Si MOSFET | +/- 10 V | SMD/SMT | SOT-416FL-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 200 mA | 800 mOhms | - 1 V | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
253
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ROHM Semiconductor | MOSFET FET Dual Pch -20V -200mA EMT6 | SMD/SMT | SOT-563-6 | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 200 mA | 1.2 Ohms | 1.4 nC | |||||||
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Ein Angebot |
11,984
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 1.7 Ohms | - 3.5 V | 1.4 nC | Depletion | ||
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Ein Angebot |
20,000
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Nexperia | MOSFET 20V N-Channel Trench MOSFET | 8 V | SMD/SMT | DFN1006B-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 1.2 A | 270 mOhms | 450 mV | 1.4 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
23,893
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ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET P-CH 20V 0.2A TR | SMD/SMT | SOT-723-3 | Reel | Si | P-Channel | - 20 V | - 200 mA | 1.2 Ohms | - 1 V | 1.4 nC | |||||||
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Ein Angebot |
5,385
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ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V DRVE PCH MOSFET | SMD/SMT | SOT-23-3 | Reel | 1 Channel | GaN | P-Channel | - 20 V | - 200 mA | 1.2 Ohms | - 1 V | 1.4 nC | ||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 1.7 Ohms | - 3.5 V | 1.4 nC | Depletion | |||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 230mA SOT-23-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 230 mA | 1.7 Ohms | - 3.5 V | 1.4 nC | Depletion | |||
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siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Nch+SBD MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-563T-6 | - | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel, SBD | 30 V | 1.4 A | 170 mOhms | 1 V | 1.4 nC | Enhancement |
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