- Maximum Operating Temperature :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
29 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Ein Angebot |
5,768
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -20V -6.7A 40mOhm 33.3nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 6.7 A | 40 mOhms | - 0.7 V | 50 nC | ||||
|
|
Ein Angebot |
8,888
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 6.2 mOhms | 2 V | 50 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
Ein Angebot |
11,755
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 90 A | 4.8 mOhms | 50 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
|
|
Ein Angebot |
6,488
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 6.2 mOhms | 2 V | 50 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
Ein Angebot |
772
Verfügbar auf Lager
|
STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II | 25 V | SMD/SMT | TO-263-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 21 A | 158 mOhms | 4 V | 50 nC | |||||
|
|
|
Ein Angebot |
3,077
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 161 A | 3.3 mOhms | 2.3 V | 50 nC | ||||||
|
|
Ein Angebot |
3,403
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 130 A | 2 mOhms | 1.2 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
2,543
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 130 A | 2 mOhms | 1.2 V | 50 nC | Enhancement | ||||
|
|
Ein Angebot |
3,990
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 1.3 mOhms | 2.35 V | 50 nC | ||||||
|
|
|
Ein Angebot |
2,033
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 150 A | 3 mOhms | 1.2 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Ein Angebot |
686
Verfügbar auf Lager
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET MOSFET UNIFET1 500V ,20A | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 20 A | 260 mOhms | 5 V | 50 nC | Enhancement | UniFET | ||
|
|
Ein Angebot |
1,644
Verfügbar auf Lager
|
Nexperia | MOSFET N-channel 60 V 4.8 mo FET | 15 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 3.3 mOhms | 1.7 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
1,970
Verfügbar auf Lager
|
Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 25 A | 0.018 Ohms | 1.5 V | 50 nC | Enhancement | TrenchFET | ||
|
|
|
Ein Angebot |
1,738
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 53A 16mOhm 50nC Qg | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 53 A | 16 mOhms | 50 nC | |||||||
|
|
|
Ein Angebot |
1,064
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 150A 2MOHM | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 150 A | 3 mOhms | 1.2 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
|
Toshiba | MOSFET N-Ch 30V 2940pF 50nC 134A 90W | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 134 A | 2.2 mOhms | 1.1 V | 50 nC | Enhancement | ||||
|
|
Ein Angebot |
7,434
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET MID PWR MOSFET SER | +/- 20 V | SMD/SMT | TSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 7 A | 12 mOhms | - 2.5 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
4,000
Verfügbar auf Lager
|
Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET P-Channel MOSFET, SOP-8 package | +/- 20 V | SMD/SMT | SOP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 9.1 A | 14 mOhms | - 3 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 15 A | 230 mOhms | 2.5 V | 50 nC | Enhancement | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
673
Verfügbar auf Lager
|
Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 60A 100W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 56 A | 0.012 Ohms | 2.5 V | 50 nC | Enhancement | TrenchFET | ||
|
|
|
siehe | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 18 A | 0.009 Ohms | - 2.5 V | 50 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
|
|
|
siehe | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 25 A | 0.018 Ohms | 1.5 V | 50 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
|
|
|
Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
|
ROHM Semiconductor | MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 30 A | 33 mOhms | 1 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
Ein Angebot |
95
Verfügbar auf Lager
|
Taiwan Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 95A, 3.6mOhm | 20 V | SMD/SMT | PDFN56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 124 A | 3 mOhms | 1.2 V | 50 nC | Enhancement | |||
|
|
|
siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 53 A | 16 mOhms | 50 nC | Enhancement | ||||||
|
|
|
siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 16A 3PIN | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 16 A | 210 mOhms | 2.5 V | 50 nC | Enhancement | ||||
|
|
|
siehe | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 650 V | 17 A | 190 mOhms | 4 V | 50 nC | |||||||
|
|
|
Ein Angebot |
3,949
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 5.6 mOhms | 50 nC | Enhancement | ||||
|
|
|
Ein Angebot |
1,190
Verfügbar auf Lager
|
Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 50nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 53 A | 16 mOhms | 2 V to 4 V | 50 nC | Enhancement |
1 / 1 Seite
