- Package / Case :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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7 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
4,710
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 12 A | 140 mOhms | 2 V | 9.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,048
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.9 A | 300 mOhms | - 3 V | 9.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,765
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A | 20 V | SMD/SMT | TSOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 2.6 A | 115 mOhms | 1 V | 9.7 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,745
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W | 20 V | SMD/SMT | TSOT-26-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 2.6 A | 115 mOhms | 1 V | 9.7 nC | Enhancement | |||
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siehe | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V N channel MOSFET | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.8 A | 28 mOhms | 1.5 V | 9.7 nC | |||||||
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Ein Angebot |
968
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 59 A | 12.5 mOhms | 9.7 nC | |||||||
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Ein Angebot |
2
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 59 A | 12.5 mOhms | 9.7 nC | Enhancement |
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