- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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- 0.007 Ohms (1)
- 0.008 Ohms (1)
- 0.13 Ohms (1)
- 1.2 mOhms (1)
- 1.4 mOhms (1)
- 1.5 mOhms (1)
- 10.5 mOhms (1)
- 12.8 mOhms (1)
- 120 mOhms (1)
- 14 mOhms (1)
- 2 mOhms (1)
- 2.4 mOhms (1)
- 2.8 mOhms (1)
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- 20.3 mOhms (2)
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- 29 mOhms (2)
- 299 mOhms (1)
- 3.1 mOhms (1)
- 3.3 mOhms (2)
- 3.5 mOhms (1)
- 3.9 mOhms (2)
- 340 mOhms (2)
- 360 mOhms (1)
- 380 mOhms (2)
- 4.9 mOhms (1)
- 41 mOhms (1)
- 7 mOhms (1)
- 7.2 mOhms (1)
- 8 mOhms (1)
- 9 mOhms (1)
- 97 mOhms (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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40 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
7,069
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Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MZ | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 6.2 A | 29 mOhms | 4 V | 39 nC | Enhancement | Directfet | ||
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Ein Angebot |
1,175
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PQFN88 PKG, 199mohm, 600V, SuperFET2 | 20 V | SMD/SMT | Power-88-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 12 A | 299 mOhms | 3.5 V | 39 nC | SuperFET II | |||
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Ein Angebot |
4,557
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 20 mOhms | 1.2 V | 39 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,351
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Infineon Technologies | MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 22.5 mOhms | 4 V | 39 nC | ||||
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Ein Angebot |
4,546
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 160 A | 3.9 mOhms | 39 nC | |||||||
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Ein Angebot |
1,110
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STMicroelectronics | MOSFET | 25 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 22 A | 0.13 Ohms | 3 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
5,758
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET BUK9Y19-100E/LFPAK/REEL 7" Q1/ | 10 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 56 A | 14 mOhms | 1.4 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,360
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Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 10.6 A | 340 mOhms | 2.5 V | 39 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
2,490
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 10.6 A | 340 mOhms | 2.5 V | 39 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
2,368
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 160 A | 3.9 mOhms | 39 nC | |||||||
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Ein Angebot |
2,850
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 28.5 mOhms | 4 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,475
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET UltraFET Power MOSFET | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 20 A | 41 mOhms | 1.6 V | 39 nC | ||||
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Ein Angebot |
2,337
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 76 A | 12.8 mOhms | 4.6 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,157
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 16A 62W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-1212-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 16 A | 0.008 Ohms | 1.5 V | 39 nC | Enhancement | TrenchFET | ||
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Ein Angebot |
796
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 40 A | 1.4 mOhms | 39 nC | |||||||
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Ein Angebot |
1,527
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 14A 9mOhm 39nC | 30 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 14 A | 8 mOhms | 39 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,996
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 16A 62W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-1212-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 16 A | 0.007 Ohms | 1.5 V | 39 nC | Enhancement | TrenchFET | ||
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Ein Angebot |
3,042
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-Ch 30V 2.8mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.8 mOhms | 1.54 V | 39 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,960
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-Ch 25V 2.4 mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 2.4 mOhms | 1.54 V | 39 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,280
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 15.1 A | 360 mOhms | 2.5 V | 39 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
210
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -100V -18A | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 18 A | 120 mOhms | - 2.5 V to - 4.5 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,182
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 20 mOhms | 1.2 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
630
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 700V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 10.6 A | 380 mOhms | 39 nC | CoolMOS | ||||
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Ein Angebot |
4,725
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 1.5 mOhms | 1.4 V | 39 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
1,733
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET Pch -30V -10A | 20 V | SMD/SMT | SOP-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 10 A | 9 mOhms | - 2.5 V | 39 nC | ||||||
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Ein Angebot |
250
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 1.2 mOhms | 1.15 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
963
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 35 A | 20.3 mOhms | 1.2 V | 39 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
1,999
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 65 A | 3.3 mOhms | 2.5 V | 39 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 37 A | 97 mOhms | 4 V | 39 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MX | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 39 A | 2 mOhms | 39 nC | Directfet |
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