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25 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
6,252
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-L6 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 270 A | 1 MOhms | 1.9 V | 64 nC | Directfet | |||
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Ein Angebot |
3,863
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 60 A | 8.7 mOhms | 1.9 V | 64 nC | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
3,403
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V/20V N-Channel PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 22 A | 6.3 mOhms | 1.9 V | 9.9 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
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Ein Angebot |
3,767
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET | 20 V | SMD/SMT | DualCool-33-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 17 A | 5 mOhms | 1.9 V | 15.5 nC | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
2,478
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 19 A | 3.6 mOhms | 1.9 V | 33 nC | PowerTrench SyncFET | |||||
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Ein Angebot |
1,172
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | DualCool-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 47 A | 600 uOhms | 1.9 V | 147 nC | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
2,768
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.6mOhms 40nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MX | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 180 A | 2.1 mOhms | 1.9 V | 40 nC | Directfet | |||
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Ein Angebot |
2,907
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT8 30V/20V Nch PowerTrench SyncFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 19 A | 3.2 mOhms | 1.9 V | 33 nC | Enhancement | PowerTrench SyncFET | ||
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Ein Angebot |
2,750
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 17.6 A | 34 mOhms | 1.9 V | 17 nC | UltraFET | |||
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Ein Angebot |
2,967
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 25V 57A 8.7mOhm 6.8nC LogLvl | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 57 A | 10.6 mOhms | 1.9 V | 6.8 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,442
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 25V SINGLE N-CH 20V VGS HEXFET | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-SQ | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 17 A | 6.7 mOhms | 1.9 V | 12 nC | Directfet | |||
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Ein Angebot |
28,964
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SOT23 60V 310MA 2.5 | 30 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 310 mA | 1 Ohms | 1.9 V | 810 pC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,542
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 400V 170mA SOT-223-3 | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 400 V | 170 mA | 13.6 Ohms | 1.9 V | 4.54 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,031
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 12V 15A 8mOhm 26nC | SMD/SMT | SO-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 12 V | 15 A | 8 mOhms | 1.9 V | 40 nC | ||||||
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Ein Angebot |
4,598
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V N-Chnl NexFET Pwr MSFT, CSD18533Q5 | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 8.5 mOhms | 1.9 V | 29 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
7,488
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 12.4 mOhms | 1.9 V | 17 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
2,793
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V,NCh NexFET Pwr MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 2.6 mOhms | 1.9 V | 41 nC | NextFET | |||
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Ein Angebot |
3,374
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | 16 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 60 A | 12 mOhms | 1.9 V | 3.9 nC | Enhancement | NexFET | ||
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Ein Angebot |
35
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II | 20 V | SMD/SMT | PTAB-5 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V, 30 V | 25 A | 10.4 mOhms, 3.5 mOhms | 1.9 V | 3.2 nC, 13.7 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
2,143
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-... | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 200 A | 2 mOhms | 1.9 V | 81 nC | Enhancement | NexFET | ||
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Ein Angebot |
250
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 45A Synchronous Buck NexFET Power Block 8-LSON-CLIP... | 10 V | SMD/SMT | LSON-CLIP-8 | - 55 C | + 125 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 45 A | 3.9 mOhms | 1.9 V | 13.7 nC, 31.5 nC | Enhancement | NexFET | ||
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Ein Angebot |
187
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V, N-Channel NexFET Power MOSFET 3-DDPAK/TO-... | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 200 A | 2 mOhms | 1.9 V | 81 nC | Enhancement | NexFET | ||
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Ein Angebot |
2,920
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC | 12 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 12 V | 84 A | 8.5 mOhms | 1.9 V | 27 nC | Enhancement | |||
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siehe | Infineon / IR | MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC | 12 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 12 V | 84 A | 8.5 mOhms | 1.9 V | 27 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
33
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 8mOhms 26nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | N-Channel | 12 V | 15 A | 8 mOhms | 1.9 V | 26 nC | Enhancement |
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