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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
183
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Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 61nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 10 A | 20 mOhms | - 2.04 V | 61 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,266
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC | SMD/SMT | SO-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 10 A | 20 mOhms | - 2.04 V | 92 nC |
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