- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Package / Case :
- Number of Channels :
- Id - Continuous Drain Current :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
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10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
500
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER NEW | +/- 20 V | SMD/SMT | HSOF-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20 A | 108 mOhms | 3 V | 27 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,603
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 11.3 A | 108 mOhms | CoolMOS | ||||||
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Ein Angebot |
4,720
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 11.3 A | 108 mOhms | 2 V | 8.7 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
805
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 300V N-Channel | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 300 V | 28 A | 108 mOhms | Enhancement | UniFET | |||||
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Ein Angebot |
627
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 250V, 0.11OHM, 25.5A, N-CH MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 25.5 A | 108 mOhms | 4.1 V | 45 nC | UltraFET | ||||
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Ein Angebot |
2,186
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 11.3 A | 108 mOhms | 2 V | 8.7 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,219
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | SMD/SMT | SOT-223-4 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 3.2 A | 108 mOhms | 4.3 nC | PowerTrench | |||||||
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Ein Angebot |
4,566
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ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 35 V | 3 A | 108 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
2,796
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | 12 V, 12 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V, 20 V | 1.5 A, 1.5 A | 108 mOhms | 700 mV | 800 pC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,955
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Toshiba | MOSFET Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A | 20 V | SMD/SMT | uDFN-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 4 A | 108 mOhms | 400 mV | 3.6 nC | Enhancement |
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