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1 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | |
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siehe | Toshiba | MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS | 8 V | SMD/SMT | uDFN-6 | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 4 A | 242 mOhms |
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