- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Transistor Polarity :
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11 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
3,229
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 9.4 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,588
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Infineon / IR | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 26nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 12 A | 9.4 mOhms | 26 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
3,574
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch 40V Enh Mode 60Vds 20Vgs 2569pF | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerDI3333-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 40 V | - 10.3 A | 9.4 mOhms | - 3 V | 68.6 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
506
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm Power Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 9.4 mOhms | 4 V | 28 nC | |||||
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Ein Angebot |
839
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 70 A | 9.4 mOhms | 2 V | 66 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
482
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 70 A | 9.4 mOhms | 2 V | 66 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
20
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 89 A | 9.4 mOhms | 4 V | 110 nC | |||||||
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Ein Angebot |
2,975
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ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 30V 10A Si MOSFET | 12 V | SMD/SMT | HUML2020L-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 10 A | 9.4 mOhms | 500 mV | 13 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,674
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Texas Instruments | MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET | 10 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 9.4 mOhms | 1.3 V | 3.9 nC | NexFET | ||||
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5,000
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Fast Switching | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 13 A | 9.4 mOhms | Enhancement | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
22
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Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 71nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 89 A | 9.4 mOhms | 2 V to 4 V | 71 nC | Enhancement |
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