- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
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29 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
96,142
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5 A | 29 mOhms | 0.8 V | 6.8 nC | ||||
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Ein Angebot |
7,069
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 34.5mOhms 39nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MZ | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 6.2 A | 29 mOhms | 4 V | 39 nC | Enhancement | Directfet | ||
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Ein Angebot |
5,020
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel, P-Channel | 40 V | 6.2 A | 29 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
3,222
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 80V 6.3A 29mOhm 38nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 6.3 A | 29 mOhms | 38 nC | |||||||
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Ein Angebot |
4,591
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SSOT-3 N-CH 20V | 8 V | SMD/SMT | SSOT-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 3 A | 29 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
3,246
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | N-Channel, P-Channel | 20 V | 6.6 A | 29 mOhms | 18 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,322
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel, P-Channel | 20 V | 6.6 A | 29 mOhms | 18 nC | |||||||
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Ein Angebot |
4,882
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | +/- 12 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 6 A | 29 mOhms | - 1.2 V | - 20 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,484
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 1.4W 20V | 12 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 5.9 A | 29 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,555
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 18nC | 12 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 2 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 6.6 A | 29 mOhms | 0.7 V | 18 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
4,193
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V 8.2A 19mOhm 4.8 Qg | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8.2 A | 29 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
3,862
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.6 A | 29 mOhms | 2 V | 11.3 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,044
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | +/- 12 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 6 A | 29 mOhms | - 1.2 V | - 20 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,560
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 t... | - 6 V | SMD/SMT | Picostar-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 3.3 A | 29 mOhms | - 950 mV | 4.2 nC | Enhancement | PicoStar | ||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 12V P-Channel FemtoFET MOSFET 3-PICOSTAR -55 t... | - 6 V | SMD/SMT | Picostar-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 3.3 A | 29 mOhms | - 950 mV | 4.2 nC | Enhancement | PicoStar | ||
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Ein Angebot |
7,135
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 6.5 A | 29 mOhms | 1 V | 22 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
6,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 80V 38A 29mOhm 37nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 38 A | 29 mOhms | 37 nC | |||||||
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Ein Angebot |
5,920
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFETs | 20 V | SMD/SMT | WSON-FET-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 29 mOhms | 1.6 V | 2.4 nC | NexFET | |||
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siehe | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K | SMD/SMT | PowerDI3333-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 8.5 A | 29 mOhms | ||||||||||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch MOS 20A 60V 38W 780pF 0.029 | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 20 A | 29 mOhms | ||||||||||
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siehe | Nexperia | MOSFET N-CH 80 V 17 MOHM MOSFET | 4.7 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 50 A | 29 mOhms | |||||||||
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siehe | IXYS | MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 86 A | 29 mOhms | |||||||
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siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET 1.5V Drive Pch+Pch MOSFET 12V 4.5A | 1.5 V | SMD/SMT | TSMT-8 | Reel | Si | P-Channel | - 12 V | - 4.5 A | 29 mOhms | ||||||||||
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siehe | Panasonic | MOSFET NCH MOS FET FLT LD 5.0x6.0mm | 20 V | SMD/SMT | SOIC-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 7 A | 29 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
2,720
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET P Chan-12V-4.5A Mid-PowerSwitching | 10 V | SMD/SMT | TSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 12 V | - 4.5 A | 29 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
2,910
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NCH 1.8V DRIVE SERIE | 12 V | SMD/SMT | SOT-323-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 4.5 A | 29 mOhms | 400 mV | 5.1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
72
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 35A 35mOhm 39nC Qg | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MZ | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 6.2 A | 29 mOhms | 4.9 V | 39 nC | |||||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 8A 15W 11nC | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8 A | 29 mOhms | 11 nC | |||||||||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 8A 15W 11nC | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 8 A | 29 mOhms | 11 nC |
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