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28 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
2,926
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 100 A | 5.8 mOhms | 2 V | 93 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,930
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 25V 28A 5.8mOhm N-Ch PowerTrench | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 28 A | 5.8 mOhms | 1.6 V | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
2,400
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 90 A | 5.8 mOhms | 1.1 V | 98 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
875
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 5.8 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
3,275
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 52 A | 5.8 mOhms | 2.1 V | 18.2 nC | ||||
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Ein Angebot |
410
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 120A 5.8mOhm 79nC Qg | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 128 A | 5.8 mOhms | 4 V | 110 nC | ||||||
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Ein Angebot |
2,821
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 46 A | 5.8 mOhms | 1.3 V | 18.6 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,720
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 85A 5.8mOhm 30V 15nC Qg log lvl | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 86 A | 5.8 mOhms | 2.35 V | 15 nC | ||||||
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Ein Angebot |
205
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET 40V 116A PB | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 116 A | 5.8 mOhms | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
600
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET N-CHANNEL 55 / 60 | SMD/SMT | TO-251-3 | Tube | Si | N-Channel | 55 V | 91 A | 5.8 mOhms | ||||||||||
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Ein Angebot |
10
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET Dual N-channel 40 V 6.8 mo FET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56D-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 40 A | 5.8 mOhms | 3 V | 28.9 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
12,419
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 5.8 mOhms | 1.8 V | 36 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
1,080
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET DualCool N-Channel NexFET Power MOSFET | 10 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 5.8 mOhms | 1.1 V | 6.8 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
1,395
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 5.8 mOhms | Enhancement | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
6,000
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | Power-33-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 14 A | 5.8 mOhms | 15 nC, 30 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
1,998
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 100 A | 5.8 mOhms | 2 V | 93 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8L | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 60 A | 5.8 mOhms | 1.5 V | 75 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V | 22 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 21 A | 5.8 mOhms | 3 V | 12 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,150
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 60V N-channel NexFET Power MOSFET | 20 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 100 A | 5.8 mOhms | 1.5 V | 36 nC | Enhancement | NexFET | ||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 79nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 120 A | 5.8 mOhms | 4 V | 79 nC | |||||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET | 2.1 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 120 A | 5.8 mOhms | ||||||||
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siehe | Nexperia | MOSFET Dual N-channel 40V Mosfet | 20 V | SMD/SMT | LFPAK33-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 40 A | 5.8 mOhms | 3 V | 32.3 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 90 A | 5.8 mOhms | 1.1 V | 98 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | 15 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 154 A | 5.8 mOhms | Enhancement | ||||||
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siehe | ROHM Semiconductor | MOSFET | 20 V | SMD/SMT | HSMT-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 13 A | 5.8 mOhms | 2.5 V | 14 nC | |||||||
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siehe | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 40V 5.0mOhm 80A STripFET III | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 5.8 mOhms | 40 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm | 20 V | SMD/SMT | TFP-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 75 A | 5.8 mOhms | Enhancement | ||||||
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|
siehe | Infineon / IR | MOSFET | SMD/SMT | TO-251-3 | Tube | Si | N-Channel | 55 V | 91 A | 5.8 mOhms |
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