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20 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
5,791
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 18 A | 5.9 mOhms | 33 nC | |||||||
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Ein Angebot |
4,784
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET BUK768R3-60E/D2PAK/REEL 13" Q1 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 75 A | 5.9 mOhms | 2.4 V | 43.1 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,998
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET Dual N-ch 30 V,19A STripFET V Pwr Mos | 22 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 65 A | 5.9 mOhms | ||||||
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Ein Angebot |
1,328
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 18 A | 5.9 mOhms | 33 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
552
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Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 65nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 17 A | 5.9 mOhms | 4 V | 65 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,205
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 5.9 mOhms | 2 V | 64 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
344
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Nexperia | MOSFET N-channel 80 V 7.8 mo FET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 100 A | 5.9 mOhms | 3 V | 63.3 nC | ||||
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Ein Angebot |
1,193
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ON Semiconductor | MOSFET NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM | 20 V | SMD/SMT | WDFN-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 47 A | 5.9 mOhms | 1.3 V | 19.3 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
8,369
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Texas Instruments | MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs | 16 V | SMD/SMT | VSON-Clip-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 5.9 mOhms | 1.7 V | 5.8 nC | Enhancement | NexFET | ||
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Ein Angebot |
1,440
Verfügbar auf Lager
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Texas Instruments | MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET | 10 V | SMD/SMT | VSONP-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 60 A | 5.9 mOhms | 1.3 V | 8.9 nC | NexFET | |||
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Ein Angebot |
24,000
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | Power56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | N-Channel | 100 V | 78 A | 5.9 mOhms | 2 V | 37 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,988
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Infineon / IR | MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 70 A | 5.9 mOhms | 3 V | 40 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
3,000
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 30V TR | 16 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 15 A | 5.9 mOhms | Enhancement | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | 16 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 5.9 mOhms | 75 nC | Enhancement | ||||||
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siehe | STMicroelectronics | MOSFET Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 20 A | 5.9 mOhms | ||||||||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | 16 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 5.9 mOhms | 75 nC | Enhancement | ||||||
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siehe | ON Semiconductor | MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES | SMD/SMT | WLCSP-4 | Reel | Si | N-Channel | 12 V | 18 A | 5.9 mOhms | |||||||||||
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Ein Angebot |
4,395
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Infineon / IR | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.9mOhms 8.8nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-S1 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 37 A | 5.9 mOhms | 1.8 V | 8.8 nC | ||||
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siehe | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 27A 39W 2600pF 37nC | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 27 A | 5.9 mOhms | 37 nC | |||||||||
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siehe | Infineon / IR | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms | 16 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 180 A | 5.9 mOhms | 75 nC | Enhancement |
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