- Package / Case :
- Minimum Operating Temperature :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,726
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II | 25 V | SMD/SMT | TO-252-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 400 V | 5.6 A | 790 mOhms | 3 V | 14 nC | ||||||
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Ein Angebot |
2,751
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 5.6 A | 68 mOhms | 1 V | 10.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,862
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC | 20 V | SMD/SMT | SOT-223-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.6 A | 29 mOhms | 2 V | 11.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,818
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 5.6 A | 31 mOhms | 1 V | 6.3 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
547
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET 20V 5.6A SNGL CH | 8 V | SMD/SMT | TSOP-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 5.6 A | 24 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
7,000
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V 160mOhm SOT223 GREEN EMC | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 100 V | 5.6 A | 156 mOhms | 2.8 V | 3.8 nC | PowerTrench | ||||||
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Ein Angebot |
473
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 5.6A DPAK-2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 5.6 A | 800 mOhms | 2.5 V | 17.2 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
156
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 7.3A DPAK-2 CoolMOS P6 | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 5.6 A | 600 Ohms | CoolMOS |
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