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- Vgs - Gate-Source Voltage :
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- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
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6 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
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Ein Angebot |
32,163
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET TAPE7 MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 300 mA | 2.1 Ohms | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
17,933
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | P-Channel | - 30 V | - 300 mA | 2.4 Ohms | - 2.4 V | 1.2 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,884
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-CH ENHANCEMENT 2.4mOhm -10V -300mA | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 300 mA | 2.4 Ohms | - 2.4 V | 1.2 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
5,298
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode Vdss -30V 1.5Ohm | 8 V | SMD/SMT | X2-DFN0806-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 300 mA | 900 mOhms | - 400 mV | 0.7 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-CH MOSFET | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 300 mA | 2.4 Ohms | - 2.4 V | 1.2 nC | Enhancement | ||
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Ein Angebot |
10,000
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET P-Chan -30V -300mA | 8 V | SMD/SMT | DFN1006B-3 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 300 mA | 4.1 Ohms |
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