- Package / Case :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Qg - Gate Charge :
- Ausgewählter Filter :
10 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
7,977
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 260 A | 1.3 mOhms | 1 V | 61.5 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
737
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 75V 230A 3 mOhm Automotive MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 260 A | 2.5 mOhms | 160 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
37
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 260 Amps 55V | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Tube | Si | N-Channel | 55 V | 260 A | 3.3 mOhms | 4 V | 140 nC | Enhancement | TrenchT2 | ||||
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Ein Angebot |
1,112
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=170W | SMD/SMT | DSOP-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 260 A | 1.29 mOhms | 91 nC | Enhancement | ||||||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 2.6mOhms 160nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 260 A | 2.1 mOhms | 4 V | 160 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,240
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 75V 260A 2.6mOhm 160nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 260 A | 2.1 mOhms | 160 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
60
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 260 A | 1.2 mOhms | 2 V | 100 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
595
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 75V 260A 2.6 mOhm Automotive MOSFET | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 260 A | 2.5 mOhms | 160 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
650
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 260 A | 3 mOhms | 2.5 V | 75 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
12
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 160nC | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 260 A | 2.4 mOhms | 160 nC |
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