- Maximum Operating Temperature :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Qg - Gate Charge :
- Tradename :
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17 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
1,420
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T6D3F 40V NFET | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 140 A | 1.9 mOhms | 2 V | 32 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
90
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET N-CH 200V | SMD/SMT | ISOTOP-4 | Tube | Si | N-Channel | 200 V | 140 A | 12 mOhms | |||||||||||
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Ein Angebot |
2,662
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 4.5 mOhms | 1.4 V to 2.3 V | 38 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
480
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V | 22 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 140 A | 2.1 mOhms | |||||||
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Ein Angebot |
800
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 9 mOhms | 93.3 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
547
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 9 mOhms | 1 V | 140 nC | |||||
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Ein Angebot |
389
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-7 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 140 A | 2 mOhms | Enhancement | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
30
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 140 A | 11 mOhms | 5 V | 155 nC | Enhancement | PolarHV, HiPerFET | |||
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Ein Angebot |
19
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-268-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 140 A | 11 mOhms | 5 V | 155 nC | Enhancement | PolarHT | |||
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Ein Angebot |
3,750
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET T6-D3F 40V NFET | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 140 A | 1.9 mOhms | 2 V | 32 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,844
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 4.5 mOhms | 38 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 140A 5.5mOhm 50.7nC LogLv | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 7.5 mOhms | 50.7 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
7,500
Verfügbar auf Lager
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Diodes Incorporated | MOSFET 40V N-Ch Enh Mode AEC-Q101 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 140 A | 6 mOhms | 2 V | 51 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 28nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MX | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 2.8 mOhms | 28 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
180
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Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 140 A | 7 mOhms | 170 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
336
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC | 16 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 9 mOhms | 93.3 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 140 A | 4.5 mOhms | 1.4 V to 2.3 V | 38 nC | Enhancement |
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