- Hersteller :
- Mounting Style :
- Package / Case :
- Maximum Operating Temperature :
- Rds On - Drain-Source Resistance :
- Tradename :
- Ausgewählter Filter :
8 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Ein Angebot |
4,226
Verfügbar auf Lager
|
ON Semiconductor | MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 191 A | 2.3 mOhms | 2.5 V | 88 nC | Enhancement | ||||
|
Ein Angebot |
2,406
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 3.4 mOhms | 3.1 V | 88 nC | OptiMOS | ||||
|
Ein Angebot |
4,558
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 120 V | 98 A | 6.6 mOhms | 2 V | 88 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
880
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 120V 98A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 120 V | 98 A | 6.6 mOhms | 2 V | 88 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
|
Ein Angebot |
799
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 110 A | 5.1 mOhms | 3.7 V | 88 nC | StrongIRFET | ||||
|
Ein Angebot |
1,060
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 110A D2PAK | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 110 A | 4.2 mOhms | 3.7 V | 88 nC | StrongIRFET | ||||
|
Ein Angebot |
416
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 110 A | 4.2 mOhms | 3.7 V | 88 nC | StrongIRFET | ||||
|
Ein Angebot |
488
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 3.4 mOhms | 88 nC | OptiMOS |
1 / 1 Seite