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25 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
5,075
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 25 A | 1.7 mOhms | 1 V | 60 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
1,394
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | Si | N-Channel | 100 V | 110 A | 7 mOhms | 2 V to 4 V | 60 nC | |||||
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Ein Angebot |
2,844
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 80 V, 3.7 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power M... | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 120 A | 4.4 mOhms | 4 V | 60 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
992
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 19A D2PAK-4 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-5 | - 40 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 19 A | 18 mOhms | 1.6 V | 60 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
2,975
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 1.7 mOhms | 1 V | 60 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET SuperFET2 650V, 190 mOhm, FRFET | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20.6 A | 190 mOhms | 5 V | 60 nC | Enhancement | SuperFET II FRFET | ||
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Ein Angebot |
2,380
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 22 A | 2.8 mOhms | 1 V | 60 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
1,062
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 40V N-Channel POWER TRENCH MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 50 A | 5 mOhms | 60 nC | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
698
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 70 A | 12 mOhms | 60 nC | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
70
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 52 A | 50 mOhms | - 4 V | 60 nC | Enhancement | PolarP | ||
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Ein Angebot |
62
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | 20 V | Through Hole | TO-3P-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 52 A | 50 mOhms | - 4 V | 60 nC | Enhancement | PolarP | ||
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Ein Angebot |
131
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 52 A | 50 mOhms | - 4 V | 60 nC | Enhancement | PolarP | ||
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Ein Angebot |
28
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 23 Amps 600V 0.1 Rds | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 23 A | 100 mOhms | 3 V | 60 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
24
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET 35 Amps 600V | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 35 A | 90 mOhms | 3 V | 60 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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Ein Angebot |
5,000
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 160 A | 1.9 mOhms | 1.5 V | 60 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
450
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20 A | 170 mOhms | 2 V | 60 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
376
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | +/- 20 A | 170 mOhms | 2 V | 60 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
360
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | 20 V | Through Hole | TO-3PF-3 | - 55 C | + 150 C | Bulk | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 20 A | 170 mOhms | 2 V | 60 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
4,999
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 22A DSO-8 OptiMOS 3M | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 22 A | 2.8 mOhms | 1 V | 60 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII | 20 V | SMD/SMT | H2PAK-2 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 110 A | 6.5 mOhms | 2 V to 4 V | 60 nC | ||||
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Ein Angebot |
2,975
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII | 20 V | SMD/SMT | PowerFLAT-5x6-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 21 A | 6 mOhms | 2 V to 4 V | 60 nC | ||||
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siehe | Nexperia | MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 75A 3-Pin(2+Tab) | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 75 A | 5 mOhms | 4.4 V | 60 nC | Enhancement | ||||
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siehe | IXYS | MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 105 V | 80 A | 14 mOhms | 5 V | 60 nC | Enhancement | TrenchMV | |||
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Ein Angebot |
120
Verfügbar auf Lager
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Microsemi | MOSFET Power MOSFET - CoolMOS | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 800 V | 11 A | 390 mOhms | 3 V | 60 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
58
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 77A TO220-3 OptiMOS | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 77 A | 9.8 mOhms | 2.1 V | 60 nC | Enhancement | OptiMOS |
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