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27 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
3,000
Verfügbar auf Lager
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Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 60A Id AEC-Q101 Qualified | 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 60 A | 5 mOhms | 1.5 V | 55 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
6,105
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.5 mOhms | 1 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,543
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 80 A | 6.6 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
5,502
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 90 A | 6.3 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
3,710
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.15 mOhms | 1.49 V | 55 nC | |||||
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Ein Angebot |
4,764
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 90 A | 6.3 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
6,985
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.5 mOhms | 1 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,355
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 13 A | 7.65 mOhms | 4 V | 55 nC | PowerTrench | |||||
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Ein Angebot |
498
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 83 A | 9.4 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,860
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7.2 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,142
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power ... | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 80 A | 3.1 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,101
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
359
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 36 A | 110 mOhms | - 4.5 V | 55 nC | Enhancement | PolarP | |||
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Ein Angebot |
492
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 37 A | 9.1 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
570
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 83 A | 9.4 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
940
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 247 A | 1.95 mOhms | 2.35 V | 55 nC | |||||
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Ein Angebot |
961
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power ... | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 70 A | 3.1 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
508
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 160 A | 1.6 mOhms | 2.35 V | 55 nC | |||||
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Ein Angebot |
114
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 36 A | 110 mOhms | - 4.5 V | 55 nC | Enhancement | PolarP | |||
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Ein Angebot |
713
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7.2 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
14
Verfügbar auf Lager
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IXYS | MOSFET PolarP Power MOSFETs | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 36 A | 110 mOhms | - 4.5 V | 55 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,575
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 20 A | 33 mOhms | 2.5 V | 55 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power ... | 20 V | SMD/SMT | H2PAK-6 | - 55 C | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 80 A | 2.8 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
1,000
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-channel 60 V, 0.0025 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI... | 20 V | SMD/SMT | H2PAK-2 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 80 A | 3.2 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | |||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 37A TO220FP-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 37 A | 9.1 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | ||||
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Ein Angebot |
137
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 80 A | 7 mOhms | 2 V | 55 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
70
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 40 A | 1.5 mOhms | 1.6 V | 55 nC | FastIRFet |
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