- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
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23 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
4,703
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 9 mOhms | 2 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
12,234
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 2.2 A | 240 mOhms | 33 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
2,478
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 30V N-Chan SyncFET PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 19 A | 3.6 mOhms | 1.9 V | 33 nC | PowerTrench SyncFET | ||||||
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Ein Angebot |
7,061
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | DualCool-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 52 A | 15 mOhms | 4 V | 33 nC | PowerTrench | ||||
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Ein Angebot |
5,791
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 18 A | 5.9 mOhms | 33 nC | ||||||||
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Ein Angebot |
2,907
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET PT8 30V/20V Nch PowerTrench SyncFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 19 A | 3.2 mOhms | 1.9 V | 33 nC | Enhancement | PowerTrench SyncFET | |||
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Ein Angebot |
2,464
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 240mOhms 33nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 2.2 A | 240 mOhms | - 5 V | 33 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,328
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 33nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 18 A | 5.9 mOhms | 33 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
748
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V3.9A 70OHMNCH ULTRAFET TRENCH | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 3.9 A | 59 mOhms | 33 nC | UltraFET | |||||
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Ein Angebot |
2,840
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 52 mOhms | 4.7 V | 33 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,896
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 90 A | 2.6 mOhms | 1 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
4,390
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-Ch 25V 3.15 mOhms | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 100 A | 3.15 mOhms | 1.54 V | 33 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,377
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 90 A | 2.6 mOhms | 1 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,383
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 90 A | 4.1 mOhms | 4 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
1,010
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 4.2 mOhms | 33 nC | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
955
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 80 A | 4.2 mOhms | 33 nC | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
70
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 50 A | 9 mOhms | 2 V | 33 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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Ein Angebot |
2,500
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 30V 13.5A Si MOSFET | 20 V | SMD/SMT | SOP-8 | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 13.5 A | 5.7 mOhms | 1 V | 33 nC | Enhancement | |||||
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Ein Angebot |
383
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 120V 59A 61W UMOSVIII 2180pF 33nC | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 59 A | 7.4 mOhms | 2 V to 4 V | 33 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
4,973
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 30 A | 15.9 mOhms | 1.6 V | 33 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 33nC | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MX | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 150 A | 2.7 mOhms | 33 nC | |||||||||
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Ein Angebot |
69
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 60 A | 5.4 mOhms | 2 V | 33 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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Ein Angebot |
736
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Infineon / IR | MOSFET HEXFET 100V N CHANNEL | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 105 A | 6 mOhms | 3.6 V | 33 nC | Enhancement | StrongIRFET |
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