- Mounting Style :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
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27 Produkt
| Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
3,755
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 20 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,458
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 27 A | 150 mOhms | 21 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,944
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT PCh -150V -27A 150mOhm 21nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 150 V | - 27 A | 150 mOhms | 21 nC | |||||||
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Ein Angebot |
3,169
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 100V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | Power-33-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V, 100 V | 39 A, 39 A | 10.5 mOhms, 10.5 mOhms | 3 V | 21 nC | Enhancement | PowerTrench Power Clip | ||
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Ein Angebot |
6,303
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 7.6 A | 30 mOhms | 21 nC | |||||||
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Ein Angebot |
7,413
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 53 A | 6.7 mOhms | 1 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,027
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 40 A | 5.6 mOhms | 2.1 V | 21 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
10,370
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 84 A | 2.7 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,322
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 40 A | 3 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,425
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 20 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
4,109
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 40 A | 5.6 mOhms | 2.1 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
5,069
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 39 A | 15.2 mOhms | 1.5 V | 21 nC | ||||
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Ein Angebot |
4,775
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 150V AUTO GRD 1 N-CH HEXFET DIRECTFET M2 | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-M2 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 18 A | 47 mOhms | 21 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
2,955
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 21nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 7.6 A | 30 mOhms | 21 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
3,975
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 84A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 84 A | 2.7 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,030
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET SWITCHING DEVICE | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 11 A | 210 mOhms | 21 nC | |||||
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Ein Angebot |
840
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC | 20 V | SMD/SMT | PQFN-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 27 A | 58 mOhms | 5 V | 21 nC | ||||
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Ein Angebot |
4,720
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 53A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 53 A | 6.7 mOhms | 1 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
2,720
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 25 V | 40 A | 3 mOhms | 1.2 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
1,311
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 120 A | 5.7 mOhms | 1.55 V to 2.45 V | 21 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
1,246
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 64 A | 5.5 mOhms | 2.1 V | 21 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
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Ein Angebot |
49
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 64 A | 5.5 mOhms | 2.1 V | 21 nC | Enhancement | |||
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Ein Angebot |
5,913
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | 20 V | SMD/SMT | TSON-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 45 A | 3.3 mOhms | 1.3 V to 2.3 V | 21 nC | Enhancement | |||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 120 A | 4 mOhms | 2.45 V | 21 nC | Enhancement | ||||
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siehe | Infineon Technologies | MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 120 A | 5.7 mOhms | 21 nC | ||||||||
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siehe | Toshiba | MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 47 A | 3.8 mOhms | 1.3 V to 2.3 V | 21 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
919
Verfügbar auf Lager
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | GaN | N-Channel | 600 V | 6.1 A | 600 mOhms | 3.5 V | 21 nC | Enhancement | CoolMOS |
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