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- Maximum Operating Temperature :
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12 Produkt
Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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Ein Angebot |
9,000
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 80V N Channel Power Trench MosFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 50 A | 11.3 mOhms | 2 V | 20 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,970
Verfügbar auf Lager
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 90 A | 11.3 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | PowerTrench | |||
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Ein Angebot |
815
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET N-channel 60 V 11.3 mOhm MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 61 A | 11.3 mOhms | 3 V | 23 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
971
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A TO220-3 OptiMOS-T | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 70 A | 11.3 mOhms | Enhancement | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
2,221
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET 60V 11.3mOhm logiclevel MOSFET | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 61 A | 11.3 mOhms | 1.7 V | 37.2 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,030
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 30 A | 11.3 mOhms | 3 V | 41 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
1,423
Verfügbar auf Lager
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ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 75A 9.3MOH | 20 V | SMD/SMT | SO-FL-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 75 A | 11.3 mOhms | 3 V | 24 nC | |||||
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Ein Angebot |
500
Verfügbar auf Lager
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T | 20 V | Through Hole | TO-262-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 70 A | 11.3 mOhms | Enhancement | OptiMOS | |||||
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Ein Angebot |
340
Verfügbar auf Lager
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Nexperia | MOSFET PSMN014-80YL/LFPAK/REEL 7" Q1/ | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 62 A | 11.3 mOhms | 1.4 V | 56.9 nC | Enhancement | ||||
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Ein Angebot |
5,046
Verfügbar auf Lager
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Toshiba | MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC | 20 V | SMD/SMT | SOP-Advance-8 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 42 A | 11.3 mOhms | 2 V to 4 V | 22 nC | Enhancement | ||||||
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Ein Angebot |
1,058
Verfügbar auf Lager
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET | 20 V | SMD/SMT | DFN2020-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 11 A | 11.3 mOhms | 2.5 V | 7.4 nC | |||||
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Ein Angebot |
1,506
Verfügbar auf Lager
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 40V 8.9 mOhm 44A STripFET VI Deep | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 44 A | 11.3 mOhms | 1 V to 2.5 V | 22 nC |
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