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Bild | Modell | Preis | Anzahl | Lager | Hersteller | Beschreibung | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Packaging | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Qg - Gate Charge | |
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Ein Angebot |
1,188
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Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Reel | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.4 A | 110 mOhms | 4.7 nC | |||
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Ein Angebot |
2,203
Verfügbar auf Lager
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm | 20 V | SMD/SMT | SO-8 | Tube | Si | P-Channel | - 30 V | - 5.4 A | 110 mOhms | 4.7 nC |
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